Продукція > TOSHIBA > TJ30S06M3L,LXHQ(O

TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba

Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
155+	83.01 грн
163+	79.31 грн
250+	76.13 грн

Мінімальне замовлення: 155

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK; ESD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -30A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK, Gate-source voltage: -20...10V, On-state resistance: 16.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 80nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції TJ30S06M3L,LXHQ(O

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	TJ30S06M3L,LXHQ(O	Виробник : TOSHIBA	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 68W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 16.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.