TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.71 грн |
| 10+ | 107.35 грн |
| 100+ | 85.47 грн |
| 500+ | 67.87 грн |
| 1000+ | 57.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ50S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 54.57 грн до 201.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ50S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138 |
на замовлення 7040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|