Продукція > TOSHIBA > TJ50S06M3L(T6L1,NQ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
184+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: TOSHIBA - TJ50S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm.

Інші пропозиції TJ50S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 56.53 грн до 131.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.19 грн
10+105.92 грн
25+105.37 грн
100+89.26 грн
250+82.06 грн
500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+116.19 грн
134+105.92 грн
135+105.37 грн
154+89.26 грн
250+82.06 грн
500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+105.37 грн
100+83.90 грн
500+66.62 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 4234344134393234303330453733453834364238304238363342464546423944.pdf MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ TOSHIBA docget.jsp?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: TOSHIBA - TJ50S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.19 грн
10+105.92 грн
25+105.37 грн
100+89.26 грн
250+82.06 грн
500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+116.19 грн
134+105.92 грн
135+105.37 грн
154+89.26 грн
250+82.06 грн
500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.25 грн
10+105.37 грн
100+83.90 грн
500+66.62 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ 4234344134393234303330453733453834364238304238363342464546423944.pdf
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ50S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.