Продукція > TOSHIBA > TJ50S06M3L(T6L1,NQ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ50S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 54.16 грн до 185.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+101.45 грн
134+92.48 грн
135+92.01 грн
154+77.94 грн
250+71.66 грн
500+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.70 грн
10+99.09 грн
25+98.58 грн
100+83.50 грн
250+76.77 грн
500+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.25 грн
10+113.40 грн
100+90.30 грн
500+71.70 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba 4234344134393234303330453733453834364238304238363342464546423944.pdf MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
на замовлення 11638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.70 грн
10+130.62 грн
100+78.81 грн
500+63.82 грн
1000+61.12 грн
2000+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj50s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.