Технічний опис TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ50S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 56.03 грн до 130.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ50S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TJ50S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TJ50S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): +10V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: DPAK+ Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TJ50S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138 |
на замовлення 7040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 115.15 грн |
| 10+ | 104.97 грн |
| 25+ | 104.43 грн |
| 100+ | 88.46 грн |
| 250+ | 81.33 грн |
| 500+ | 64.55 грн |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 115.15 грн |
| 134+ | 104.97 грн |
| 135+ | 104.43 грн |
| 154+ | 88.46 грн |
| 250+ | 81.33 грн |
| 500+ | 64.55 грн |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 10+ | 104.44 грн |
| 100+ | 83.16 грн |
| 500+ | 66.03 грн |
| 1000+ | 56.03 грн |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)