Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ60S04M3L(T6L1,NQ
TJ60S04M3L(T6L1,NQ

TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: DPAK+, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TJ60S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 40.06 грн до 141.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+93.04 грн
160+88.89 грн
250+85.32 грн
500+79.31 грн
1000+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+87.13 грн
100+58.74 грн
500+43.73 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 81CEA085CDAA72CE7AC609D7771D25F7B54D6C3989C886661FB112E1C97AEBE2.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ docget.pdf
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
153+93.04 грн
160+88.89 грн
250+85.32 грн
500+79.31 грн
1000+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.35 грн
10+87.13 грн
100+58.74 грн
500+43.73 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ 81CEA085CDAA72CE7AC609D7771D25F7B54D6C3989C886661FB112E1C97AEBE2.pdf
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ docget.pdf
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.