Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ60S04M3L,LXHQ
TJ60S04M3L,LXHQ

TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TJ60S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.68 грн
10+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ60S04M3L,LXHQ за ціною від 37.08 грн до 139.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ60S04M3L_datasheet_en_20241218-1858429.pdf MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.04 грн
10+89.68 грн
100+53.70 грн
500+43.11 грн
1000+39.73 грн
2000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.