Продукція > TOSHIBA > TJ60S06M3L(T6L1,NQ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 60.95 грн до 170.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+89.08 грн
100+81.09 грн
500+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.82 грн
10+113.49 грн
100+86.45 грн
500+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba 83243C3741ADCCC56A0E7ED82520A0E17AE80A3DFA4981362634C2860DB7F3D7.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.66 грн
10+94.62 грн
100+70.09 грн
500+63.46 грн
1000+63.01 грн
2000+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj60s06m3l_datasheet_en_20200706.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5DED4BEA460CE&compId=TJ60S06M3L.pdf?ci_sign=0dba8f06106dc1c17899022b49dc8c1ee06a07d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.