Продукція > TOSHIBA > TJ60S06M3L(T6L1,NQ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 43.13 грн до 169.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+86.13 грн
100+74.25 грн
500+66.10 грн
1000+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+87.04 грн
147+83.15 грн
250+79.81 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.79 грн
500+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+117.13 грн
160+76.70 грн
200+71.66 грн
1000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+109.59 грн
100+83.48 грн
500+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba TJ60S06M3L_datasheet_en_20241218-1143625.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.94 грн
10+131.14 грн
50+105.20 грн
100+82.40 грн
500+71.29 грн
1000+68.93 грн
2000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj60s06m3l_datasheet_en_20200706.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : TOSHIBA TJ60S06M3L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : TOSHIBA TJ60S06M3L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.