Продукція > TOSHIBA > TJ60S06M3L(T6L1,NQ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 45.35 грн до 171.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+86.41 грн
147+82.54 грн
250+79.23 грн
500+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.09 грн
500+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+98.66 грн
100+85.05 грн
500+75.72 грн
1000+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.28 грн
160+76.15 грн
200+71.14 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.47 грн
10+113.97 грн
100+86.82 грн
500+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba 83243C3741ADCCC56A0E7ED82520A0E17AE80A3DFA4981362634C2860DB7F3D7.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.39 грн
10+116.15 грн
100+78.81 грн
500+68.40 грн
1000+66.49 грн
2000+61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj60s06m3l_datasheet_en_20200706.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L TJ60S06M3L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.