TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 183+ | 70.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 60.78 грн до 225.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |