Продукція > TOSHIBA > TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+112.13 грн
10+84.84 грн
100+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba

Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 27W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm.

Інші пропозиції TJ8S06M3L(T6L1,NQ) за ціною від 85.27 грн до 112.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.69 грн
167+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSHIBA TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSHIBA TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) docget.pdf
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.69 грн
167+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.