TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 65.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ90S04M3L,LQ за ціною від 63.58 грн до 210.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ90S04M3L,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ |
на замовлення 12467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TJ90S04M3L,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|