Продукція > TOSHIBA > TJ90S04M3L,LQ
TJ90S04M3L,LQ

TJ90S04M3L,LQ Toshiba

4137313237374235323146314241333538393044333036464435333143334233.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ
на замовлення 7106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.51 грн
10+127.85 грн
100+78.03 грн
500+64.70 грн
1000+64.15 грн
2000+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ90S04M3L,LQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TJ90S04M3L,LQ за ціною від 83.34 грн до 193.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.43 грн
10+120.74 грн
100+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.