Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ90S04M3L,LXHQ
TJ90S04M3L,LXHQ

TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ90S04M3L,LXHQ за ціною від 43.11 грн до 111.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TJ90S04M3L,LXHQ TJ90S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.75 грн
10+ 82.2 грн
100+ 65.44 грн
500+ 51.96 грн
1000+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ90S04M3L,LXHQ TJ90S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624-1649716.pdf MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.6 грн
10+ 91.67 грн
100+ 63.64 грн
250+ 60.58 грн
500+ 53.01 грн
1000+ 45.44 грн
2000+ 43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3