на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 567.16 грн |
| 10+ | 469.81 грн |
| 30+ | 379.98 грн |
| 60+ | 338.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK040N60Z1,S1F Toshiba
Description: 600V DTMOS6 TO-247 40MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 21.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 297W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK040N60Z1,S1F за ціною від 440.91 грн до 599.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK040N60Z1,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 600V DTMOS6 TO-247 40MOHMPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 21.2A, 10V Power Dissipation (Max): 297W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|