Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK040N65Z,S1F Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK040N65Z,S1F за ціною від 424.55 грн до 918.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK040N65Z,S1F | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
TK040N65Z,S1F | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK040N65Z,S1F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 918.21 грн |
| 30+ | 530.04 грн |
| 60+ | 487.85 грн |
| 120+ | 424.55 грн |
| TK040N65Z,S1F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK040N65Z,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)