TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4.
Інші пропозиції TK040Z65Z,S1F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK040Z65Z,S1F | Toshiba |
MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK040Z65Z,S1F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)