на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 973.31 грн |
| 10+ | 806.27 грн |
| 25+ | 650.34 грн |
| 100+ | 584.13 грн |
| 250+ | 556.18 грн |
| 500+ | 515.71 грн |
| 1000+ | 464.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK040Z65Z,S1F Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK040Z65Z,S1F за ціною від 989.19 грн до 989.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK040Z65Z,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|