TK042N65Z5,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK042N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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Технічний опис TK042N65Z5,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK042N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 360W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DTMOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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| TK042N65Z5,S1F(S | Toshiba |
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