
TK042N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1042.39 грн |
30+ | 611.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK042N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK042N65Z5,S1F
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
TK042N65Z5,S1F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |