Продукція > TOSHIBA > TK055U60Z1,RQ(S
TK055U60Z1,RQ(S

TK055U60Z1,RQ(S TOSHIBA


3959366.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+424.27 грн
100+323.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK055U60Z1,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: DTMOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK055U60Z1,RQ(S за ціною від 178.29 грн до 620.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK055U60Z1,RQ(S TK055U60Z1,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3959366.pdf Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+620.73 грн
10+424.27 грн
100+323.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(S Виробник : Toshiba tk055u60z1_datasheet_en_20230809.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+366.58 грн
36+350.83 грн
50+337.47 грн
100+314.37 грн
250+282.26 грн
500+263.59 грн
1000+257.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(S Виробник : Toshiba tk055u60z1_datasheet_en_20230809.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+374.62 грн
50+316.86 грн
200+241.77 грн
500+218.81 грн
1000+178.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.