Продукція > TOSHIBA > TK055U60Z1,RQ
TK055U60Z1,RQ

TK055U60Z1,RQ Toshiba

Toshiba_06232023_3959366.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.58 грн
10+390.43 грн
100+258.60 грн
1000+244.23 грн
2000+229.87 грн
4000+225.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK055U60Z1,RQ Toshiba

Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK055U60Z1,RQ за ціною від 172.18 грн до 393.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK055U60Z1,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.TK055U60Z1.html Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.43 грн
10+265.52 грн
100+198.64 грн
500+172.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ Виробник : Toshiba tk055u60z1_datasheet_en_20230809.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ Виробник : Toshiba tk055u60z1_datasheet_en_20230809.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.TK055U60Z1.html Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.