TK065U65Z,RQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
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Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 430.87 грн |
| 100+ | 381.78 грн |
| 500+ | 312.85 грн |
| 1000+ | 265.56 грн |
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Технічний опис TK065U65Z,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 38, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції TK065U65Z,RQ(S за ціною від 240.34 грн до 474.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TK065U65Z,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 38 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TK065U65Z,RQ(S | Виробник : Toshiba | TK065U65Z,RQ(S |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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