TK065U65Z,RQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 509.97 грн |
| 100+ | 425.83 грн |
| 500+ | 363.53 грн |
| 1000+ | 301.71 грн |
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Технічний опис TK065U65Z,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK065U65Z,RQ(S за ціною від 243.75 грн до 625.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TK065U65Z,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TK065U65Z,RQ(S | Виробник : Toshiba | TK065U65Z,RQ(S |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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