Продукція > TOSHIBA > TK090U65Z,RQ(S
TK090U65Z,RQ(S

TK090U65Z,RQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0012061836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+211.21 грн
500+191.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK090U65Z,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK090U65Z,RQ(S за ціною від 172.17 грн до 403.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK090U65Z,RQ(S TK090U65Z,RQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0012061836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.69 грн
10+215.45 грн
100+211.21 грн
500+191.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba TK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+278.63 грн
46+266.66 грн
50+256.49 грн
100+238.95 грн
250+214.53 грн
500+200.35 грн
1000+195.45 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba TK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+403.76 грн
36+342.19 грн
50+260.43 грн
100+250.15 грн
200+218.10 грн
500+184.29 грн
1000+179.10 грн
2000+172.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.