| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.63 грн |
| 2000+ | 221.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK090U65Z,RQ Toshiba
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TOLL, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Power Dissipation (Max): 230W (Tc).
Інші пропозиції TK090U65Z,RQ за ціною від 164.60 грн до 450.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TOLL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|