Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK090U65Z,RQ
TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK090U65Z_datasheet_en_20201023.pdf?did=69970&prodName=TK090U65Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+198.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK090U65Z,RQ за ціною від 167.18 грн до 395.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.21 грн
10+ 281.44 грн
100+ 242.74 грн
500+ 207.31 грн
1000+ 167.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+326.53 грн
39+ 303.09 грн
100+ 261.41 грн
500+ 223.26 грн
1000+ 180.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z_datasheet_en_20201023.pdf?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.2 грн
10+ 341.54 грн
100+ 279.8 грн
500+ 223.54 грн
1000+ 188.52 грн
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba TK090U65Z_datasheet_en_20201023-2005164.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.23 грн
10+ 351.39 грн
100+ 250.43 грн
500+ 213.89 грн
1000+ 181.34 грн
2000+ 172.04 грн
4000+ 170.05 грн
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній