Продукція > TOSHIBA > TK099V65Z,LQ(S
TK099V65Z,LQ(S

TK099V65Z,LQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0009023276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.52 грн
500+145.07 грн
1000+132.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK099V65Z,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK099V65Z,LQ(S за ціною від 132.46 грн до 390.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK099V65Z,LQ(S TK099V65Z,LQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0009023276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+299.79 грн
10+206.05 грн
100+165.52 грн
500+145.07 грн
1000+132.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba TK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+251.80 грн
51+242.21 грн
100+233.99 грн
250+218.79 грн
500+197.08 грн
1000+184.56 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba TK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+390.99 грн
37+330.83 грн
50+252.02 грн
100+242.01 грн
200+211.12 грн
500+178.67 грн
1000+174.23 грн
2500+167.12 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.