Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK099V65Z,LQ
TK099V65Z,LQ

TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK099V65Z_datasheet_en_20190927.pdf?did=65090&prodName=TK099V65Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+188.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK099V65Z,LQ за ціною від 181.04 грн до 509.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z_datasheet_en_20190927.pdf?did=65090&prodName=TK099V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.73 грн
10+313.24 грн
100+253.46 грн
500+211.43 грн
1000+181.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Виробник : Toshiba TK099V65Z_datasheet_en_20190927-2509646.pdf MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.74 грн
10+356.66 грн
25+309.39 грн
100+270.15 грн
250+269.39 грн
1000+252.04 грн
2500+229.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Виробник : Toshiba tk099v65z_datasheet_en_20190927.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Виробник : Toshiba tk099v65z_datasheet_en_20190927.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.