Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK099V65Z,LQ
TK099V65Z,LQ

TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK099V65Z_datasheet_en_20190927.pdf?did=65090&prodName=TK099V65Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+177.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK099V65Z,LQ за ціною від 170.72 грн до 488.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z_datasheet_en_20190927.pdf?did=65090&prodName=TK099V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.62 грн
10+295.38 грн
100+239.01 грн
500+199.38 грн
1000+170.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Toshiba tk099v65z_datasheet_en_20190927.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+488.44 грн
32+439.36 грн
100+338.59 грн
250+310.42 грн
500+264.20 грн
1000+221.01 грн
3000+210.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z,LQ Toshiba F9BF88A8A25650C3A882F9594233F4129E1611CB4A8FCB3B2D608EB4FACB5655.pdf MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ TK099V65Z_datasheet_en_20190927.pdf?did=65090&prodName=TK099V65Z
TK099V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.62 грн
10+295.38 грн
100+239.01 грн
500+199.38 грн
1000+170.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ tk099v65z_datasheet_en_20190927.pdf
TK099V65Z,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+488.44 грн
32+439.36 грн
100+338.59 грн
250+310.42 грн
500+264.20 грн
1000+221.01 грн
3000+210.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ F9BF88A8A25650C3A882F9594233F4129E1611CB4A8FCB3B2D608EB4FACB5655.pdf
TK099V65Z,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.