TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 279.08 грн |
| 10+ | 146.84 грн |
| 100+ | 118.50 грн |
| 500+ | 92.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK100A06N1,S4X(S за ціною від 334.31 грн до 334.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100A06N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TK100A06N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||
 |
TK100A06N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 263A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 45W Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
TK100A06N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 263A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 45W Gate charge: 0.14µC |
товару немає в наявності |