Продукція > TOSHIBA > TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X(S

TK100A06N1,S4X(S Toshiba

2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+121.31 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100A06N1,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK100A06N1,S4X(S за ціною від 108.35 грн до 122.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA TK100A06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 2.7mΩ
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.74 грн
10+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Toshiba 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 2.7mΩ
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.74 грн
10+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S 3934610.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.