TK100A08N1,S4X(S Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 139.32 грн |
| 110+ | 128.78 грн |
| 113+ | 125.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100A08N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 45W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.
Інші пропозиції TK100A08N1,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100A08N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK100A08N1,S4X(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK100A08N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK100A08N1,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)