
TK100A08N1,S4X(S Toshiba
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
101+ | 120.99 грн |
110+ | 111.84 грн |
113+ | 108.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100A08N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK100A08N1,S4X(S за ціною від 159.28 грн до 276.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK100A08N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TK100A08N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |