TK100A08N1,S4X(S Toshiba
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 122.45 грн |
| 110+ | 113.19 грн |
| 113+ | 110.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100A08N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK100A08N1,S4X(S за ціною від 309.38 грн до 447.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100A08N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK100A08N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |