Продукція > TOSHIBA > TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1,S1X(S

TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA

3934613.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.34 грн
10+131.21 грн
100+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK100E06N1,S1X(S за ціною від 135.55 грн до 303.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Виробник : Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+303.72 грн
83+148.80 грн
91+135.55 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Виробник : Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Виробник : Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A04E8EAFBE73D6&compId=TK100E06N1.pdf?ci_sign=8ffc784776d2ac529bdaccd9d09efe9943c21e21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A04E8EAFBE73D6&compId=TK100E06N1.pdf?ci_sign=8ffc784776d2ac529bdaccd9d09efe9943c21e21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.