Продукція > TOSHIBA > TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1,S1X(S

TK100E06N1,S1X(S Toshiba

1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+224.11 грн
71+199.66 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100E06N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 1900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 255W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції TK100E06N1,S1X(S за ціною від 201.28 грн до 225.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.93 грн
10+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA 3934613.pdf Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 1900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+225.93 грн
10+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S 3934613.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 1900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.