Продукція > TOSHIBA > TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1,S1X(S

TK100E08N1,S1X(S Toshiba

tk100e08n1datasheeten20140630.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.86 грн
10+210.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100E08N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 255W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції TK100E08N1,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S TOSHIBA 3934614.pdf Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S Toshiba tk100e08n1datasheeten20140630.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S 3934614.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S tk100e08n1datasheeten20140630.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.