Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK100E08N1,S1X

TK100E08N1,S1X

docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1
Код товару: 143972
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK100E08N1,S1X за ціною від 151.61 грн до 408.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Виробник : Toshiba 4239453232323941413330333244413146464245443243384530363543303534.pdf MOSFETs 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.86 грн
10+203.01 грн
100+175.84 грн
500+151.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.87 грн
50+207.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Виробник : Toshiba 1548docget.jsplangenpidtk100e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e08n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X Виробник : Toshiba docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1 MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.