Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK100E10N1,S1X(S

TK100E10N1,S1X(S

Код товару: 199160
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK100E10N1,S1X(S за ціною від 105.81 грн до 383.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.65 грн
4+140.52 грн
10+124.44 грн
50+111.74 грн
250+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+182.96 грн
1000+166.45 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+184.07 грн
1000+167.46 грн
2500+142.79 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.16 грн
10+209.22 грн
100+189.53 грн
500+146.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.65 грн
4+140.52 грн
10+124.44 грн
50+111.74 грн
250+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+182.96 грн
1000+166.45 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+184.07 грн
1000+167.46 грн
2500+142.79 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.16 грн
10+209.22 грн
100+189.53 грн
500+146.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.