TK100E10N1,S1X(S Toshiba
на замовлення 20864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 750+ | 76.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK100E10N1,S1X(S за ціною від 101.45 грн до 360.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK100E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK100E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TK100E10N1,S1X(S Код товару: 199160
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|