Продукція > TOSHIBA > TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1,S1X(S

TK100E10N1,S1X(S Toshiba

1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 20864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+81.62 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100E10N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK100E10N1,S1X(S за ціною від 104.22 грн до 395.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.11 грн
4+138.41 грн
10+122.57 грн
50+110.06 грн
250+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.34 грн
3+172.48 грн
10+147.08 грн
50+132.07 грн
250+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Виробник : Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+378.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA 3934615.pdf Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+395.98 грн
10+231.66 грн
100+207.42 грн
500+179.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S
Код товару: 199160
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.