Інші пропозиції TK100E10N1,S1X за ціною від 133.02 грн до 428.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| TK100E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |