Інші пропозиції TK100E10N1,S1X за ціною від 131.47 грн до 404.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X | Toshiba |
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
TK100E10N1,S1X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK100E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 404.11 грн |
| 50+ | 205.08 грн |
| 100+ | 187.25 грн |
| 500+ | 146.44 грн |
| 1000+ | 137.04 грн |
| 2000+ | 131.47 грн |
| TK100E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK100E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK100E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)