Продукція > TOSHIBA > TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1,S1X(S

TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK100E10N1.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.55 грн
4+137.94 грн
10+122.15 грн
50+109.69 грн
250+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, Power dissipation: 255W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції TK100E10N1,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK100E10N1 TK100E10N1 Toshiba MOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1
TK100E10N1
Виробник: Toshiba
MOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.