Продукція > TOSHIBA > TK100L60W,VQ(O
TK100L60W,VQ(O

TK100L60W,VQ(O Toshiba

191tk100l60w_datasheet_en_20131225.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2405.08 грн
7+2281.91 грн
10+2155.96 грн
25+1956.62 грн
50+1690.13 грн
100+1587.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100L60W,VQ(O Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 797W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції TK100L60W,VQ(O за ціною від 1594.69 грн до 2523.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK100L60W,VQ(O TK100L60W,VQ(O Toshiba 191tk100l60w_datasheet_en_20131225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2523.15 грн
7+2050.65 грн
10+1918.35 грн
50+1594.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100L60W,VQ(O TK100L60W,VQ(O TOSHIBA 3621093.pdf Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 797W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100L60W,VQ(O 191tk100l60w_datasheet_en_20131225.pdf.pdf
TK100L60W,VQ(O
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2523.15 грн
7+2050.65 грн
10+1918.35 грн
50+1594.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100L60W,VQ(O 3621093.pdf
TK100L60W,VQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 797W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.