| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2394.39 грн |
| 7+ | 2271.77 грн |
| 10+ | 2146.38 грн |
| 25+ | 1947.92 грн |
| 50+ | 1682.62 грн |
| 100+ | 1580.54 грн |
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Технічний опис TK100L60W,VQ(O Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 797W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції TK100L60W,VQ(O за ціною від 1820.85 грн до 3310.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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TK100L60W,VQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 797W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TK100L60W,VQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
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SVHC: To Be Advised
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3310.58 грн |
| 5+ | 2805.17 грн |
| 10+ | 2432.68 грн |
| 50+ | 1820.85 грн |