Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK100S04N1L,LQ
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.83 грн
10+161.31 грн
100+112.48 грн
500+86.00 грн
1000+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK100S04N1L,LQ за ціною від 76.37 грн до 265.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Виробник : Toshiba AEF06CA61D88E63BBEF217D36C29B50149EF6D7ED6A6E85EB5365CBBC20D88D6.pdf MOSFETs UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.53 грн
10+170.43 грн
100+104.35 грн
500+90.74 грн
1000+83.93 грн
2000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Виробник : Toshiba tk100s04n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.