Продукція > TOSHIBA > TK10A60W,S4VX
TK10A60W,S4VX

TK10A60W,S4VX Toshiba

16tk10a60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+101.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A60W,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK10A60W,S4VX за ціною від 85.33 грн до 135.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba CDF56FF6C888C6B6276E884A7D3E641B1BCE9D9C2799A99C6BFB2CABDBA2832D.pdf MOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.21 грн
10+104.26 грн
100+86.85 грн
500+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13486&prodName=TK10A60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.