Продукція > TOSHIBA > TK10A60W5,S5VX(M
TK10A60W5,S5VX(M

TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA

3934617.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.46 грн
10+132.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK10A60W5,S5VX(M за ціною від 85.68 грн до 220.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M Виробник : TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.69 грн
5+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M Виробник : TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.43 грн
3+108.73 грн
5+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M Виробник : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M Виробник : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M Виробник : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M Виробник : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf PWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.