Продукція > TOSHIBA > TK10A60W5,S5VX(M
TK10A60W5,S5VX(M

TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Power dissipation: 30W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
на замовлення 713 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.27 грн
5+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK10A60W5,S5VX(M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA 3934617.pdf Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M 3934617.pdf
TK10A60W5,S5VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX(M 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf
TK10A60W5,S5VX(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.