Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK10A80E,S4X

TK10A80E,S4X

docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E
Код товару: 203788
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK10A80E,S4X за ціною від 239.98 грн до 239.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba 1DE45D64169B5E5A59B307512FA205AC17D97A112E57AB0802B253244EFCEEDE.pdf MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E
TK10A80E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X 1DE45D64169B5E5A59B307512FA205AC17D97A112E57AB0802B253244EFCEEDE.pdf
TK10A80E,S4X
Виробник: Toshiba
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.