Продукція > TOSHIBA > TK10A80E,S4X
TK10A80E,S4X

TK10A80E,S4X Toshiba

TK10A80E_datasheet_en_20140304-1150806.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.44 грн
50+129.98 грн
100+98.34 грн
250+95.41 грн
500+77.06 грн
1000+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A80E,S4X Toshiba

Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK10A80E,S4X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10A80E,S4X
Код товару: 203788
Додати до обраних Обраний товар

TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Виробник : Toshiba 6042docget.jsplangenpidtk10a80etypedatasheet.jsplangenpidtk10a80etype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Виробник : Toshiba 6042docget.jsplangenpidtk10a80etypedatasheet.jsplangenpidtk10a80etype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.