TK10A80E,S4X


docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E
Код товару: 203788
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK10A80E,S4X за ціною від 237.85 грн до 237.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba 1DE45D64169B5E5A59B307512FA205AC17D97A112E57AB0802B253244EFCEEDE.pdf MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X 1DE45D64169B5E5A59B307512FA205AC17D97A112E57AB0802B253244EFCEEDE.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BXP12N65F
Код товару: 203790
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC2845AN
Код товару: 74079
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuc2845a
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
0,1 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Код товару: 25198
1 Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 0,1 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 2786 шт
  • 2492 шт - склад
  • 147 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 104 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8788 шт
  • 7848 шт - склад
  • 440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.