TK10A80W,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.34 грн |
| 3+ | 212.47 грн |
| 10+ | 187.93 грн |
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Технічний опис TK10A80W,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm.
Інші пропозиції TK10A80W,S4X(S за ціною від 341.31 грн до 341.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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TK10A80W,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TK10A80W,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
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| 3+ | 341.31 грн |