Продукція > TOSHIBA > TK10A80W,S4X(S
TK10A80W,S4X(S

TK10A80W,S4X(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1AAD820&compId=TK10A80W.pdf?ci_sign=bdbffd20f7dbfab63fa5d15c382ea5fe3c3d6141 Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Case: SC67
Kind of package: tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.36 грн
3+215.99 грн
5+191.29 грн
10+190.49 грн
14+180.92 грн
50+174.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A80W,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK10A80W,S4X(S за ціною від 209.46 грн до 310.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S Виробник : TOSHIBA 3934619.pdf Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.40 грн
10+214.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1AAD820&compId=TK10A80W.pdf?ci_sign=bdbffd20f7dbfab63fa5d15c382ea5fe3c3d6141 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Case: SC67
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+310.03 грн
3+269.16 грн
5+229.54 грн
10+228.59 грн
14+217.11 грн
50+209.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S Виробник : Toshiba TK10A80W,S4X(S
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.