Продукція > TOSHIBA > TK10E60W,S1VX(S

TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA

Name: TK10E60W,S1VX(S
Brand: TOSHIBA
SKU: 7644931-6
Price: 859.53 UAH
Availability: InStock

TOSCS48755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	286.51 грн
10+	151.49 грн
100+	137.49 грн
500+	110.85 грн
1000+	94.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK10E60W,S1VX(S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TK10E60W,S1VX(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220	на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TK10E60W,S1VX(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK10E60W,S1VX(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK10E60W,S1VX(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.