на замовлення 100 шт:
термін постачання 66-75 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.52 грн |
| 10+ | 254.89 грн |
| 50+ | 138.71 грн |
| 100+ | 126.23 грн |
| 500+ | 124.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10E60W,S1VX за ціною від 174.56 грн до 350.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK10E60W,S1VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK10E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |