TK10E80W,S1X Toshiba
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.42 грн |
| 10+ | 236.32 грн |
| 50+ | 173.94 грн |
| 100+ | 154.12 грн |
| 250+ | 144.58 грн |
| 500+ | 136.51 грн |
| 1000+ | 121.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10E80W,S1X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10E80W,S1X за ціною від 194.35 грн до 254.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK10E80W,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
TK10E80W,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |