Продукція > TOSHIBA > TK10P50W,RQ(S
TK10P50W,RQ(S

TK10P50W,RQ(S TOSHIBA

3934621.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.94 грн
500+69.86 грн
1000+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10P50W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK10P50W,RQ(S за ціною від 62.11 грн до 192.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10P50W,RQ(S TK10P50W,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934621.pdf Description: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.42 грн
10+142.15 грн
100+97.94 грн
500+69.86 грн
1000+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.