на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 222+ | 55.11 грн |
| 246+ | 49.72 грн |
| 273+ | 44.74 грн |
| 284+ | 41.57 грн |
| 500+ | 36.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10P60W,RVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK10P60W,RVQ(S за ціною від 74.28 грн до 230.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK10P60W,RVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TK10P60W,RVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK10P60W,RVQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |