Продукція > TOSHIBA > TK10P60W,RVQ
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ Toshiba

335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK10P60W,RVQ за ціною від 90.54 грн до 315.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba AA4D141819405FA0CDF53AB34D0EA7AD66944810524899840B5AD162F8E1D42B.pdf MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.63 грн
10+144.83 грн
100+106.63 грн
2000+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13502&prodName=TK10P60W Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.10 грн
10+200.09 грн
100+141.35 грн
500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13502&prodName=TK10P60W Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.