Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10P60W,RVQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10P60W,RVQ за ціною від 96.35 грн до 291.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK10P60W,RVQ | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK10P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK10P60W,RVQ | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK10P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 96.35 грн |
| TK10P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.49 грн |
| 10+ | 185.09 грн |
| 100+ | 130.76 грн |
| 500+ | 112.56 грн |
| TK10P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)