на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 90.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10Q60W,S1VQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10Q60W,S1VQ за ціною від 104.37 грн до 330.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK10Q60W,S1VQ | Виробник : Toshiba |
 MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK10Q60W,S1VQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
TK10Q60W,S1VQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |