Продукція > TOSHIBA > TK10V60W,LVQ(S
TK10V60W,LVQ(S

TK10V60W,LVQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0002249019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.327ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.80 грн
500+90.21 грн
1000+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10V60W,LVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.327ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK10V60W,LVQ(S за ціною від 81.15 грн до 102.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK10V60W,LVQ(S TK10V60W,LVQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0002249019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.91 грн
10+101.27 грн
100+98.80 грн
500+90.21 грн
1000+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK10V60W,LVQ(S TK10V60W,LVQ(S Виробник : Toshiba 11850724572215171185072377645749tk10v60w_datasheet_en_20150811.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10V60W,LVQ(S TK10V60W,LVQ(S Виробник : Toshiba 11850724572215171185072377645749tk10v60w_datasheet_en_20150811.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.