
на замовлення 697 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.88 грн |
10+ | 110.56 грн |
50+ | 48.36 грн |
100+ | 42.20 грн |
250+ | 40.88 грн |
500+ | 35.37 грн |
1000+ | 30.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK110A10PL,S4X Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK110A10PL,S4X за ціною від 57.43 грн до 135.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK110A10PL,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TK110A10PL,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TK110A10PL,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |