на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.17 грн |
| 10+ | 364.61 грн |
| 25+ | 316.31 грн |
| 50+ | 192.28 грн |
| 100+ | 169.53 грн |
| 250+ | 159.26 грн |
| 500+ | 137.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK110A65Z,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK110A65Z,S4X за ціною від 412.82 грн до 412.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK110A65Z,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| TK110A65Z,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товару немає в наявності |