TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.02 грн |
| 50+ | 74.28 грн |
| 100+ | 66.61 грн |
| 500+ | 49.87 грн |
| 1000+ | 45.80 грн |
| 2000+ | 42.38 грн |
| 5000+ | 38.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK110E10PL,S1X за ціною від 41.91 грн до 166.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK110E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|