TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.25 грн |
| 5000+ | 28.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK110P10PL,RQ за ціною від 29.11 грн до 118.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK110P10PL,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V |
на замовлення 7230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK110P10PL,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 17082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|