Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK110U65Z,RQ
TK110U65Z,RQ

TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+181.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK110U65Z,RQ за ціною від 152.43 грн до 384.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Виробник : Toshiba TK110U65Z_datasheet_en_20210914-2005158.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.56 грн
10+206.54 грн
100+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.47 грн
10+214.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk110u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.