| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.02 грн |
| 10+ | 101.90 грн |
| 100+ | 71.03 грн |
| 500+ | 53.59 грн |
| 1000+ | 47.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK11A45D(STA4,Q,M) за ціною від 190.67 грн до 190.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK11A45D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|