Продукція > TOSHIBA > TK11P65W,RQ(S
TK11P65W,RQ(S

TK11P65W,RQ(S TOSHIBA

3934628.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.17 грн
500+77.03 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK11P65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK11P65W,RQ(S за ціною від 61.03 грн до 170.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK11P65W,RQ(S TK11P65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934628.pdf Description: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.01 грн
10+127.30 грн
100+91.17 грн
500+77.03 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA TK11P65W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ(S TK11P65W,RQ(S Виробник : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.