Продукція > TOSHIBA > TK11P65W,RQ
TK11P65W,RQ

TK11P65W,RQ Toshiba

7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.18 грн
100+52.69 грн
500+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK11P65W,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK11P65W,RQ за ціною від 54.26 грн до 206.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.86 грн
214+57.27 грн
216+56.74 грн
500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.27 грн
10+111.43 грн
100+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba TK11P65W_datasheet_en_20140917-1916288.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.85 грн
10+106.60 грн
100+76.51 грн
500+73.42 грн
2000+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.